不具有的"光导电"特性。 光敏半导体受光照射后，它的电导率可以上升几个数量级。从能带上讲，它的价带中 的电子吸收了光的能量后，跃入导带，产生电子-空穴对。这种由光照产生的电子-空穴对， 称为"光生载流子"。光敏半导体内产生的"光生载流子"增多，它的电导率就上升。这种 受光照射后提高的电导率称为"本征光电导率"。 实际应用中，光敏半导体材料需经过掺杂后，才能制成激光器使用的半导体材料。所 以除了有本征光电导率外，还必须具有光激发杂质能级上的电子或空穴形成的杂质光电导率 的性质。在有些光敏半导体中，"杂质光电导率"起主要作用。

光敏半导体受光照射后，会不同程度地改变物体内的"载流子迁移率"（迁移率是载流 子的迁移速度与外电场的比值）。标志物体的导电能力的"电导"，等于载流子密度乘以迁 移率。迁移率上升，电导提高，电导率由本征光电导率、杂质光电导率和迁移率的值共同决 定，只是在某种条件下便以其中的某种因素为主罢了。